Toshiba เคลมชิป 3D QLC NAND เขียนได้เกิน 1000 Write Cycle สบายๆ

Toshiba เคลมชิป 3D QLC NAND เขียนได้เกิน 1000 Write Cycle สบายๆ

Toshiba ออกมาอัพเดทข้อมูลชิปหน่วยความจำ QLC ที่เพิ่งประสบความสำเร็จในการพัฒนาว่าสามารถเขียนได้ 1000 Write Cycle ได้สบายๆ ไม่หมดสภาพหน่วยความจำหลังจากการใช้งานอย่างยาวนาน

QLC NAND รุ่นต้นแบบในปัจจุบันยังใช้กระบวนการผลิตแบบ 64 Layer อยู่ สามารถทำความจุรวมได้ 1.5TB ต่อชุด ทำให้เราจะได้เห็น SSD ความจุสูงราคาถูกในอนาคตไม่ยากนัก โดย QLC จะเป็น NAND ที่เขียนข้อมูลได้ 4 บิตต่อ 1 เซลล์ โดยปกติแล้วการเพิ่มจำนวนบิตในเซลล์จะส่งผลให้อายุการใช้งานสั้นลง อย่างไรก็ตามการนำเทคโนโลยีใหม่ๆ อย่าง Error-correction เข้ามาช่วยสามารถยืดอายุการใช้งานได้ อย่าง TLC NAND 500GB สามารถเขียนข้อมูลได้ราวๆ 300TB ก่อนที่เซลล์ NAND จะเริ่มเสื่อมสภาพ โดยมีการใช้งานราวๆ 1000 P/E Cycle ส่วน QLC นั้นอยู่ที่ราวๆ 100 P/E Cycle

การที่ Toshiba ออกมาประกาศว่า QLC ของตนนั้นทนทาน ใช้งานได้ 1000 P/E Cycle จึงเป็นทั้งปริศนาในเทคโนโลยีที่ใช้ และข่าวดีสำหรับวงการหน่วยความจำ หลายคนคาดว่าอาจจะเป็นเพราะ Toshiba ใช้วิธีขยายขนาด Pysical Memory Cell อย่างไรก็ดีตอนนี้ Toshiba เริ่มส่งมอบ QLC NAND รุ่นต้นแบบออกไปยังผู้ผลิตรายต่างๆ แล้ว คาดว่าอาจจะได้ยินคำวิจารณ์ว่าประสิทธิภาพดีจริงอย่างที่โษฆณาหรือไม่เร็วๆ นี้ ส่วน SSD ที่เป็น QLC จะเริ่มวางจำหน่ายเมื่อไหร่นั้นยังไม่มีข้อมูลเปิดเผยออกมา

ขอขอบคุณแหล่งที่มา : https://www.overclockzone.com